高纯镓(Ga) Gallium 1,物理性质: 原子量:69.723 熔点:29.78℃ 沸点:2403℃ 密度:5.907 g/cm3(20℃) 莫比硬度:1.5 kg/mm2 **临界温度:1.087K 固态略带兰色,质软,液态银白色。 2,规格: 化学纯度: 高纯镓:Ga-04 纯度 99.99%, 银,铝,钙,铬,铜,铁,汞,铟,,锰,镍,铅,,锡,锌杂质总含量小于100ppm 高纯镓:Ga-05纯度99.999%以上,银,铝,钙,铬,铜,铁,汞,铟,,锰,镍,铅,,锡,锌杂质总含量小于10ppm; **纯镓:Ga-06纯度99.9999%以上,铬,铜,铁,,锰,镍,铅,,锡,锌杂质总含量小于1ppm; **高纯镓:Ga-07纯度99.99999%以上,铜,铁,,锰,镍,铅,,锡,锌杂质总含量小于0.1ppm。 3,物理性状:固体。 4,用途: 主要用于制备Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体,为GaAs, GaP, GaAsP, GaAlAs, GaAlP高纯合金,晶体管合金,**低温合金,原子反应堆中之热载体以及锗,硅单晶的掺杂剂。 5,包装:聚瓶封装,塑料薄膜外封。